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抑制性突觸后電位

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　　抑制性突觸后電位是公衛(wèi)執(zhí)業(yè)醫(yī)師考試要求掌握的內(nèi)容，醫(yī)學(xué)教育網(wǎng)搜集整理相關(guān)內(nèi)容供大家參考。

　　突觸后膜在遞質(zhì)作用下發(fā)生超極化，使該突觸后神經(jīng)元的興奮下降，這種電位變化稱為抑制性突觸后電位（1PSP）。其產(chǎn)生機(jī)制為抑制性遞質(zhì)作用于突觸后膜，使盾膜上的配體門控cl-通道開放，引起cl-內(nèi)流，突觸后膜發(fā)生超極化。此外，IPSP的形成還可能與突觸后膜K+通道的開放或Na+、Ca2+通道的關(guān)閉有關(guān)。

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