1. 迅速移離現場，脫去受污染的衣物，立即用大量流動清水沖洗20～30分鐘。堿性物質污染后沖洗時間應延長，特別注意眼及其它特殊部位如頭面、手、會陰的沖洗，灼傷創(chuàng)面經水沖洗后，必要時進行合理的中和治療，例如氫氟酸灼傷，經水沖洗后，需及時用鈣、鎂的制劑局部中和和治療，必要時用葡萄糖酸鈣動、靜脈注射。

2. 化學灼傷創(chuàng)面應徹底清創(chuàng)、剪去水皰、清除壞死組織。深度創(chuàng)面應立即或早期進行削（切）痂植皮及延遲植皮。例如黃磷灼傷后應及早切痂，防止磷吸收中毒。

3. 對有些化學物灼傷，如氰化物、酚類、氯化鋇、氫氟酸等在沖洗時應進行適當解毒急救處理。

4. 化學灼傷合并休克時，沖洗從速、從簡，積極進行抗休克治療。

5. 積極防治感染、合理使用抗生素：

a. 清創(chuàng)后，創(chuàng)面外搽1%磺胺嘧啶銀霜劑（磺胺過敏者忌用）。

b. 傷后3天內選用青霉素，預防乙型鏈球菌感染。

c. 大面積深度灼傷、休克期病情不平穩(wěn)或曾經長途轉運或合并爆炸傷或創(chuàng)面嚴重感染、不易干燥、有出血點、創(chuàng)緣明顯炎性浸潤，傷后第二天即應調整抗生素，選擇主要針對革蘭氏陰性桿菌的抗生素如氨芐、氧哌嗪青霉素或第二、三代頭孢菌素（頭孢哌酮），必要時聯合應用一種氨基甙類抗生素（鏈霉素、慶大霉素或丁胺卡那霉素等），并兼用抗陽性球菌的抗生素。若有繼續(xù)使用抗生素的指征，根據藥敏重新調整抗生素。

d. 植皮手術前創(chuàng)面培養(yǎng)分離到乙型溶血性鏈球菌，必須術前和術后全身應用大劑量青霉素。青霉素過敏者選用紅霉素。

e. 灼傷后期引起敗血癥的病原菌主要是金葡菌，故應選擇對金葡菌敏感的抗生素，但大多數對青霉素耐藥，常用耐青霉素酶的青霉素如苯唑青霉素（P12）或頭孢菌素（第一代如頭孢氨芐、頭孢唑啉、頭孢噻吩），但仍不能忽視革蘭氏陰性桿菌感染的可能性。

f. 關于重癥感染中抗生素的應用，一般原則為一種β-內酰胺類抗生素（包括青霉素類和頭孢菌素類）加一種氨基糖甙類（包括鏈霉素、慶大霉素、丁胺卡那霉素等）較為合適，具體用藥方案應取決于致病菌種類和藥敏試驗。